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삼성전자, 온양 HBM 생산 가동 1년 앞당겨

2026.11.12
삼성전자, 온양 HBM 생산 가동 1년 앞당겨
반도체

삼성전자, 온양 HBM 적층 가동 1년 앞당겨

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14:23 발행
  • 삼성전자는 충남 아산 온양사업장의 첨단 패키징 공장 가동 시점을 1년 앞당기며 고대역폭메모리(HBM) 생산 경쟁력 강화에 속도를 내고 있습니다.
  • 6세대 HBM4부터 데이터 입출력 통로가 기존 1024개에서 2048개로 두 배 늘면서, 칩을 정밀하게 쌓고 연결하는 하이브리드 본딩 기술의 중요성이 커지고 있습니다.
  • 삼성전자는 HBM4 기반 하이브리드 구리 본딩(HCB) 샘플을 고객사에 공급했고, 초기에는 기존 열압착 방식을 활용하면서 신기술의 양산성을 2027년까지 검증할 계획입니다.
SK하이닉스
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SK하이닉스 (ADR)
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삼성전자
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